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論文

$^{171}$ Yb NMR in the Kondo semiconductor YbB $_{12}$

生嶋健司; 加藤益丈*; 滝川仁*; 伊賀文俊*; 日浦さやか*; 高畠敏郎*

Physica B; Condensed Matter, 281-282, p.274 - 275, 2000/06

https://doi.org/10.1016/S0921-4526(99)00815-7

被引用回数：23 パーセンタイル：72.46(Physics, Condensed Matter)

近藤半導体YbB $_{12}$ の単結晶において、66%の大きなナイトシフトをもつ $^{171}$ Yb NMR信号観測に成功した。115T/ $mu_{B}$ のその超微細結合定数はYb $^{3+}$ イオンのJ=7/2状態の計算値と一致しており、低温極限の帯磁率はJ=7/2多重項内のVan VlecK項であることがわかった。また、Ybサイトの核スピン-格子緩和率は87Kの活性化エネルギーをもって温度変化しているが、Bサイトでは異なる温度依存性が観測された。

論文

Scaling behavior in the Ce-based Kondo semiconductors; NQR/NMR measurements of CeRhSb and CeNiSn under high pressures

生嶋健司; 安岡弘志; 上床美也*; 石川義和*

Physical Review B, 60(21), p.14537 - 14540, 1999/00

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.60.14537

被引用回数：5 パーセンタイル：33.75(Materials Science, Multidisciplinary)

近藤半導体CeRhSbとCeNiSnのスケーリングの有効性を核スピン-格子緩和率T $_{1}^{-1}$ の高圧研究を通して直接調べた。圧力に依存しないユニヴァーサムな曲線が、磁気励起のギャップ形成過程を含めた広い温度領域で観測された。これは、磁気励起におけるギャップが、近藤温度と密接に関係のある特性温度によって特徴づけられていることを示唆している。また、そのユニヴァーサムな性質は、熱力学量や輸送量から得られたグルーナイゼン定数によっても確認された。